Сибирские ученые создали композитный материал для гибкой электроники
Фото: ТАСС Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП СО РАН) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник. «Исследователи… создали новый материал для мемристоров
Подробнее
